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机译:使用简单而准确的分析工具对GaAs MESFET器件的直流特性进行建模
Fac. of Electron. Eng., Menofia Univ., Egypt;
III-V semiconductors; Schottky gate field effect transistors; electronic engineering computing; gallium arsenide; semiconductor device models; CPU times; Curtice equation; DC characteristics; GaAs; I/V characteristics; MESFET devices; NEC71000 device; analytic tool; drain current; gate voltage; modelling parameters; optimisation; source voltages;
机译:在黑暗和光照条件下亚微米栅长离子注入GaAs MESFET的电流(I)-电压(V)特性的分析模型
机译:在宽温度范围内模拟GaAs MESFET的直流特性
机译:快速准确地提取非线性GaAs MESFET器件模型的寄生电阻
机译:GaAs MESFET的负载牵引特性,使用基于物理学的分析性大信号器件模型计算得出
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:双层MEH-PPV / TiO2光电器件的光电流-电压特性分析模型
机译:GaAs MESFET电流-电压特性的精确数值建模
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模