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曾庆明;
中国电子学会;
GaAs;
机译:以InGaAs / GaAsP应变补偿层为基础材料的基于GaAs的异质结双极晶体管的器件特性
机译:高温退火对Ga↓(0.52)In↓(0.48)P / GaAs和Al↓(0.52)In↓(0.48)P / GaAs异质结双极晶体管器件特性的影响
机译:高温退火对Ga_0.52In_0.48P / GaAs和Al_0.52In_0.48P / GaAs异质结双极晶体管器件特性的影响
机译:使用集成式GaAs光电导器件的硅双极晶体管特性的片上皮秒时域测量
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:GaAs / InGaAsn / GaAs P-N-P双异质结双极晶体管的器件特性
机译:Gaas / InGaasN / Gaas p-n-p双异质结双极晶体管的射频特性
机译:场效应和双极晶体管器件中的硅缺陷层的制造方法
机译:硅掺杂的gaas-单晶锭及其制造方法,以及硅掺杂的gaas-单晶晶片,由硅掺杂的gaas-单晶锭组成
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