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曾庆明; 蔡克理;
中国电子学会;
GaAs; HBT; 抗辐照特性; 场效应器件; 硅双极晶体管;
机译:以InGaAs / GaAsP应变补偿层为基础材料的基于GaAs的异质结双极晶体管的器件特性
机译:高温退火对Ga↓(0.52)In↓(0.48)P / GaAs和Al↓(0.52)In↓(0.48)P / GaAs异质结双极晶体管器件特性的影响
机译:高温退火对Ga_0.52In_0.48P / GaAs和Al_0.52In_0.48P / GaAs异质结双极晶体管器件特性的影响
机译:PNP Algaas / IngaAsn / GaAs双异质结双极晶体管的器件特性
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:GaAs / InGaAsn / GaAs P-N-P双异质结双极晶体管的器件特性
机译:Gaas / InGaasN / Gaas p-n-p双异质结双极晶体管的射频特性
机译:硅掺杂的gaas-单晶锭及其制造方法,以及硅掺杂的gaas-单晶晶片,由硅掺杂的gaas-单晶锭组成
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
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