一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件

摘要

本发明公开了一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件，应用于航空航天领域，包括：氮化镓场效应晶体管和氮化铝壳体；所述氮化铝壳体包含氮化铝底壳和氮化铝上盖，所述氮化铝底壳和氮化铝上盖之间通过合盖粘接剂密封形成密闭空间，所述氮化铝壳体内腔置有氮化镓场效应晶体管，所述氮化镓场效应晶体管的底部安装有焊条所述氮化铝壳体内腔底部还设有焊盘，所述焊条与所述焊盘通过焊膏焊接；所述焊盘的表面喷有金属镀层；该封装器件体积小、成本低、实现比传统抗辐照MOSFET更优的抗辐照和单粒子特性，且其参数和特性远远优于传统抗辐照MSOFET和商业MOSFET，同时解决GaN FET散热困难的问题，可直接运用于航天领域。