机译:改善厚氧化物扩散和栅极替换I / O晶体管可靠性的方法
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
Al_2O_3 capping layers; CMOS process integration; diffusion and gate replacement; DGR; DRAM periphery transistors; high-k metal gate; I/O devices; Mg capping layers; MOSFET fabrication;
机译:浮岛和厚底氧化物沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的改进
机译:铁氟龙/ SiO2双层钝化在栅极偏置应力下提高非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的可靠性
机译:通过在氧化锆栅极绝缘体上进行UV / O-3处理来提高溶液处理的铟锌锡氧化物薄膜晶体管的性能
机译:使用扩散和栅极替换(D&GR)栅极堆叠集成的I / O厚氧化物器件集成
机译:机动发动机中生物柴油替代物的低温氧化,以及在扩散火焰中由生物柴油替代物燃烧产生的烟灰的氧化行为。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:厚栅极氧化物的100nm以下金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
机译:生产工程测量:改进生产技术以提高硅平面外延的可靠性; TRaNsIsTOR(WX-4001),LOGIC GaTE(Wm-201),FLIpFLOp(Wm-202),aC BINaRY(Wm-213)。