机译:浮岛和厚底氧化物沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的改进
Toyota Motor Corporation, 543, Kirigahora, Nishihirose-cho, Toyota, Aichi, Japan;
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:厚栅极氧化物的100nm以下金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
机译:具有4 nm厚Al_2O_3栅极氧化物的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:先进的浮动岛和厚底氧化物沟槽栅极MOSFET(FITMOS)通过被动孔门的AC操作期间减少了RONA,并通过椭圆浮岛改进了BVDSS rona折衷
机译:常规金属氧化物半导体场效应晶体管的离子液体模数研究
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:厚栅极氧化物的100nm以下金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)