具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管

摘要

提出了一种沟槽型DMOS晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的厚度比第二部分大。界面的深度位于体区下边界之上。在沟槽里形成一个导电电极，使它覆盖在绝缘层之上。在与沟槽相邻的体区里形成第一种导电类型的源区。