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机译:无结晶体管上的纳米级屏蔽沟道双栅堆叠硅,可改善短沟道效应和模拟性能
Department of Electronics & Telecommunication JSPM's Rajarshi Shahu College of Engineering Tathawade Pune Savitribai Phule Pune University Pune India;
Junctionless transistor; dual gate stack; silicon on nothing; shielded channel; single material gate; double gate;
机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
机译:用于改善短沟道性能的纳米级线性梯度二元金属合金栅极圆柱形无结MOSFET的全面二维分析研究
机译:短通道无结累积模式环绕栅(JLAMSG)MOSFET的分析建模仿真和特性,可改善模拟/ RF性能
机译:双材料栅极氧化物堆栈对称双栅极MOSFET:提高纳米级双栅MOSFET的短频道效果
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:高性能短通道双栅极低温多晶硅薄膜晶体管使用准分子激光结晶
机译:使用场效应晶体管作为模拟门的100通道扫描仪