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方凯;
无;
MOS; 场效应晶体管; 短沟道效应;
机译:归因于背栅阶跃电位的纳米级双栅绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道效应减小
机译:双栅无结石墨烯纳米带场效应晶体管中短沟道效应的计算研究
机译:包含短沟道效应的双栅无结场效应晶体管的统一分析漏极电流模型
机译:双栅场效应晶体管中的短沟道效应
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:超薄体中电容耦合双栅离子敏感场效应晶体管的性能增强
机译:双材料栅垂直环绕栅(DMGVSG)MOSFET抑制短沟道效应(SCE):3-D TCAD仿真
机译:双栅场效应晶体管中量子输运的自洽模拟
机译:自耗尽边缘背栅引起的具有反向短沟道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
机译:发光双栅场效应晶体管和发光双栅场效应晶体管的制造方法,
机译:双栅场效应晶体管及制造双栅场效应晶体管的方法
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