机译:Ge2Sb2Te5相变存储材料薄膜结晶参数的积分等转换方法
MIET Natl Res Univ Elect Technol, Pl Shokina 1, Moscow 124498, Russia;
Russian Acad Sci, Kurnakov Inst Gen & Inorgan Chem, Leninskii Pr 31, Moscow 119991, Russia|Tomsk State Univ, Pr Lenina 36, Tomsk 634050, Russia;
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机译:用于相变存储应用的Ge2Sb2Te5 / ZnSb堆叠薄膜的相变特性的改善
机译:用于相变存储应用的硼注入Ge2Sb2Te5薄膜的相变特性
机译:铟掺杂对非易失性相变存储器件Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响
机译:电介质材料在相变存储器中的Ge2SB2Te5薄膜的结晶行为和界面反应
机译:用于可重构RF开关和非易失性存储器的相变材料的结晶动力学和阈值电压的研究。
机译:纳秒紫外光脉冲诱导的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的结构转变
机译:相变存储器的Ge2Sb2Te5薄膜的湿法刻蚀特性