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袁鹏跃;
江苏科技大学;
掺杂; 相变; 存储薄膜;
机译:用于相变存储器的Sn掺杂Ge2Sb2Te5薄膜的特性
机译:铟掺杂对非易失性相变存储器件Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响
机译:氮和硅共掺杂Ge2Sb2Te5薄膜以改善相变存储性能
机译:用于相变存储器的氮掺杂Ge2sb2te5薄膜的电性能和晶体结构
机译:钠掺杂五氧化二钒薄膜的热电性能及应用
机译:纳秒紫外光脉冲诱导的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的结构转变
机译:组成匹配的氮掺杂Ge2Sb2Te5 / Ge2Sb2Te5超晶格状结构,用于相变随机存取存储器
机译:沉积过程中O2压力对射频溅射sn掺杂In2O3薄膜性能的影响。
机译:具有抗菌性能的Sn-Cu合金薄膜,具有抗菌性能的Sn-Cu合金薄膜形成的产品,具有抗菌性能的Sn-Cu合金薄膜形成的产品的生产方法
机译:SnSe SnSe SnSe热电材料的SnSe热电材料的多层金属化结构SnSe热电材料的SnSe热电材料的多层金属化结构及其制造方法
机译:制造薄膜结构的方法,使用该薄膜结构的存储节点的方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的制造方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的存储节点
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