氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

赖云锋; 冯洁; 乔保卫; 凌云; 林殷茵; 汤庭鳌; 蔡炳初; 陈邦明

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氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

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通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(N-GST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5 (GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用N-GST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.

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来源
《物理学报》 |2006年第8期|4347-4352|共6页
作者
赖云锋; 冯洁; 乔保卫; 凌云; 林殷茵; 汤庭鳌; 蔡炳初; 陈邦明;
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作者单位

上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室,上海,200433;

复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室,上海,200433;

复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室,上海,200433;

上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030;

Silicon Storage Technology, Inc., Sunnyvale 94086, USA;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
相变存储器; 多态存储; N掺杂; Ge2Sb2Te5;

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