机译:0.05μm栅极AlGaN / GaN HEMT的二维器件仿真
Asahi KASEI Corp., Fuji-shi, 416-8501 Japan;
AlGaN/GaN HEMT; device simulation; cut-off frequency; drain breakdown voltage; impact ionization;
机译:模拟AlGaN / GaN HEMT和GaN MESFET器件的瞬态响应中的表面状态效应
机译:AlGaN / GaN HEMT和GaN MESFET器件中静态表面态的2D模拟
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:AlGaN / GaN HEMT射频性能的二维器件仿真
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:用于估算alGaN / GaN HEmT的长期退化和寿命的寿命测试程序的模拟(postprint)