PLD法によるSi基板上へのEr_xY_(2-X)SiO_5結晶薄膜作製

摘要

Er_xY_(2-x)SiO_5 crystalline thin films were fabricated by using pulsed laser deposition (PLD). It is found that the crystalline structure and the PL fine structure are independent of Er content. Also PL emission efficiency was improved by suppression of energy transfer between neighboring Er ions due to the exchange Er and Y. Moreover the control of layered atomic arrangement is effective to the improvement of PL efficiency, and it is found that Er neighboring with Si is effective to the high PL efficiency.%パルス・レーザー堆積（PLD）法をもちいてEr_xY_(2-x)SiO_5結晶の作製を行った。結晶構造、PL微細構造は組成によらず、またErをYに置換することでEr~(3+)-Er~(3+)間のエネルギー移動を抑え、PL発光効率の上昇が確認された。またEr_xY_(2-x)SiO_5 層状結晶における配列制御することでPL発光効率の増加が確認された。このときEr原子がSi近傍に存在する方が高効率化に有効であることがわかった。