RF-MBE法によるSi (001)基板上へのGaN/AIN多結晶超格子の作製および評価

摘要

GaNはバンドギヤップの異なる材料と組み合わせ ることで、幅広い波長領域に対応する光学素子として 利用できる。深紫外域の発光材料としてGaN/AlN半導 体超格子が注目されており[1]、各周期膜厚を変えるこ とで、波長領域を深紫外から近紫外まで調節すること ができる。現在、安価なSi基板上へのGaN/AIN超格 子の作製は、単結晶薄膜の作製が容易であるSi(111)上 への作製は多数の報告があるが、表面原子の配列の対 称性が異なるSi(001)での報告はほとんどなされてい ない。格子不整合の点からも困難であるためである。 今回、RF-MBE法によりSi(001)基板上にGaN/AIN超 格子構造を積層させ、このサンプルにX線回折測定に よる構造解析とPL測定による光学特性評価を行った 結果を報告する。