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PLD法によるSi基板上へのErxY2-xSi05結晶薄膜作製

机译：PLD法在Si衬底上制备ErxY2-xSi05晶体薄膜

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電気通信大学

机译：电-通信大学

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岩谷賢治;
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年度 2016
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1. PLD法によるSi基板上へのEr_xY_(2-X)SiO_5結晶薄膜作製 [J] . 岩谷　賢治, 一色　秀夫電子情報通信学会技術研究報告 . 2010,第352期

机译：PLD法在Si衬底上制备Er_xY_（2-X）SiO_5晶体薄膜
2. PLD法によるSi基板上へのEr_xY_(2-x)SiO_5結晶薄膜作製 [J] . 岩谷賢治, 一色秀夫電子情報通信学会技術研究報告. 光エレクトロニクス. Optoelectronics . 2010,第352期

机译：PLD法在Si衬底上制备Er_xY_（2-x）SiO_5晶体薄膜
3. PLD法によるSi基板上へのEr_xY_(2-x)SiO_5結晶薄膜作製 [J] . 岩谷賢治, 一色秀夫電子情報通信学会技術研究報告. 光エレクトロニクス. Optoelectronics . 2010,第352期

机译：ER_XY_（2-X）Si_5晶体薄膜通过PLD法制备Si衬底
4. RF-MBE法によるSi (001)基板上へのGaN/AIN多結晶超格子の作製および評価 [C] . 則包猛, 小笠原裕, 森下和博, 応用物理学会春季学術講演会;応用物理学会 . 2018

机译：通过RF-MBE方法在Si（001）衬底上制备和表征GaN / AIN多晶超晶格
5. Si基板上III-V族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究利用統計を見る [D] . 須郷満 1993

机译：Si衬底上III-V族化合物半导体的晶体生长及其在激光中的应用研究
6. Ｈ2プラズマスパッタリング法によるSi基板上への3C-SiC薄膜の作製に関する研究 [O] . 園田信夫 1998

机译：H2等离子体溅射法在Si衬底上制备3C-SiC薄膜的研究

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