MOCVD法およびPLD法によるセラミツクス薄膜作製技術の進歩と作製した薄膜の結晶構造

摘要

ノート型パソコン，携帯電話といった現在の電子デバイスの著しい小型化·軽量化技術を支えているのが薄膜作製技術の急速な進歩である。 薄膜はその融点に比べて極めて低温で作製できるため，電子デバイス作製の上で有利である。 薄膜の作製方法は気相法,液相法および固相法に大別されるが,このうち,気相法はシリコンデバイスの作製プロセス中最も主要な技術であり，実用化が最も進んでいると考えられる。 気相法はプロセスとして特に非平衡度が高いと考えられており，バルクでは存在しないような結晶構造，組成，微構造および特性をもった薄膜が合成できる場合が多い。この気相法の"非平衡度が高い"という特徴は逆に言えば目的とする材料の薄膜を作成する場合に成膜プロセスの最適化が難しいという問題点と裏腹である。 この問題は複数の元素からなるセラミックス薄膜の作製時には特に顕著になる。