ダイナミックオーロラPLD法で作製したスピネル構造フェライト薄膜の磁気特性におよぼす成膜時の磁場印加効果

摘要

演者らはPLD装置の真空チャンバ一内に電磁石を設置し、成膜時に最大で2kGの磁場を印加可能なダイナ ミックオーロラPLD装置を開発している。この装置を用いて2kGの磁場中で作製したZnFe_2O_4薄膜は基板 温度が500°C以下ではフェリ磁性を示すのに対し、600°C以上では常磁性を示すことを報告している。この ことはダイナミックオーロラPLD法で作製したZnFe_2O_4薄膜ではZn~(2+)(通常は四面体サイトを占有）とFe~(3+) (八面体サイトを占有）との間で陽イオンの入れ替えが生じているためと考えられる。本研究は同様の現象 が他のスピネル構造のフェライトでも生じるか明らかにするとともに、サイト間で陽イオンの入れ替えが生 じるための条件を明らかにすることを目的としている。