声明
第一章 绪 论
1.1 铁电材料与铁电薄膜
1.2薄膜的形成与生长
1.3 钙钛矿(ABO3)型铁电薄膜
1.4 Pb(HfxTi1-x)O3铁电材料简介
1.5 影响薄膜结构与性能的因素
1.6 论文选题及研究方案
第二章 常用的薄膜制备技术及分析方法
2.1常用的薄膜制备技术
2.2薄膜结构表征
2.3 薄膜电学性能表征
第三章 Pt/Si衬底上Pb(Hf0.48Ti0.52)O3薄膜制备工艺研究
3.1 靶材的制备
3.2 脉冲激光沉积法制备Pb(Hf0.48Ti0.52)O3薄膜
3.3 氧分压对Pb(Hf0.48Ti0.52)O3薄膜的影响
3.4 温度对Pb(Hf0.48Ti0.52)O3薄膜的影响
3.5 自缓冲层对Pb(Hf0.48Ti0.52)O3薄膜的影响
3.6 本章小结
第四章 Hf掺杂量对Pb(HfxTi1-x)O3薄膜的影响
4.1 不同Hf掺杂量下PHT薄膜的最佳生长参数探究
4.2 低温自缓冲层上生长PHT薄膜
4.3 本章小结
第五章 结论
5.1 总结
5.2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果