机译:Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜介电性能的测量与建模
Institut de Recherche en Electrotechnique et Electronique de Nantes Atlantique (IREENA), EA 1770, University of Nantes, Nantes, France;
机译:(111)优选取向PbZr0.53Ti0.47O3 / Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)(0.62)Ti0.38O3 / PbZr0.53Ti0.47O3三层膜的介电和铁电性能
机译:脉冲激光沉积的Bapbo3导电薄膜的结构和电性能及其对PBZR0.52TI0.48O3 / BAPBO3异质结构的铁电性能的影响
机译:Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.2))O_3 / Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3多层薄膜的介电和铁电性能的取向依赖性
机译:应变增强的PB(Zr_(0.8)Ti_(0.2))O_3 / PB(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3多层薄膜而无缓冲层的介电和铁电性能
机译:铁料应变工程的新模式:PBZR1的域结构与性质Xtixo3薄膜
机译:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电纳米晶体的原位极化和介电性能测量
机译:厚度对Ni取代Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜的介电,铁电和光学性能的影响
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性