...
机译:热应力对通过金属诱导横向结晶制备的p沟道多晶硅薄膜晶体管电性能的影响
Material Science and Engineering Department and Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul, Korea;
Annealing; Compaction; Glass; Silicon; Strain; Substrates; Thin film transistors; Metal-induced lateral crystallization; Metal-induced lateral crystallization (MILC); glass shrinkage; poly-Si TFT; polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistor (TFT); thermal stress;
机译:单向金属诱导的横向结晶多晶硅薄膜晶体管的电学性质
机译:电应力对金属诱导横向结晶制备的多晶硅薄膜晶体管漏电流的影响
机译:电应力和温度对金属诱导横向结晶制备的多晶硅薄膜晶体管性能的影响
机译:由镍金属诱导的结晶和氧化induced电介质在玻璃基板上制造的四端子多晶硅薄膜晶体管
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:不同金属覆盖层对P沟道SnO薄膜晶体管电性能和稳定性的影响
机译:金属诱导的横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管的应力功率依赖性自热退化