金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管热载流子应力下漏电特性及机制研究

摘要

本文主要研究了金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管在热载流子(hot carrier,HC)应力下的漏电特性，以及其所对应的物理机制；并确定了应力前后漏电的电流模型。最后提出了HC应力下n型TFT的场助产生(field enhanced generation，FEG)漏电与热产生(thermal generation，TG)漏电量化统一模型。整个研究从FEG漏电和TG漏电两个角度展开。在测量时，采用正反向测量模式。在定性分析FEG漏电和TG漏电特性的同时，还针对Ioff和漏电最小值Ioff min这两个重要参数进行定量分析。此外，对TG漏电分为非H化和H化器件两个对照组，进行研究，并分别考察了饱和区和增长区的特性。最终得出了热载流子应力后，FEG漏电与TG漏电在正反向测量模式下的漏电特性，并澄清了其内在的物理机制。还确认了应力前后在正反向测量模式下FEG漏电的电流模型，以及TG漏电增量的电流模型。并提出了HC应力下n型TFT的FEG漏电与TG漏电量化统一模型。从数学上澄清了△Ioff和△Ioff min的制约因素。

目录

文摘

英文文摘

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第一章绪论

1.1主流的低温多晶硅的制备技术概述

1.2研究HC应力下MILC TFT漏电(关态电流)的意义

1.3国内外研究动态

参考文献

第二章热载流子效应与Poly-Si TFT漏电概述

2.1热载流子效应及其影响因素

2.2抑制热载流子效应方法简介

2.3 MILC TFT漏电

2.4 Poly-Si TFT漏电模型

参考文献

第三章器件制备工艺及实验研究方法

3.1器件制备工艺

3.2器件工艺步骤

3.3实验研究方法

参考文献

第四章HC应力下MILC n型TFT场助产生机制漏电研究

4.1 HC应力下n型TFT场助产生机制漏电的特性研究

4.2 HC应力下n型TFT场助产生机制漏电的模型研究

4.3本章小结

参考文献

第五章HC应力下MILC n型TFT热产生机制漏电研究

5.1 HC应力下n型TFT热产生机制漏电的特性研究

5.2 HC应力下n型TFT热产生机制漏电的模型研究

5.3本章小结

参考文献

第六章HC应力下MILC n型TFT漏电量化统一模型

6.1 HC应力下TFT漏电量化统一模型

6.2 HC应力对TFT漏电量化统一模型的影响

参考文献

第七章结论与创新

7.1本文主要研究结论

7.2本文主要创新之处和意义

攻读硕士学位期间发表的论文

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