机译:碳化硅功率MOSFET的温度相关短路能力
Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN, USA;
Electrothermal model; Silicon carbide (SiC) MOSFETs; electro-thermal model; leakage current; short circuit capability; short-circuit capability; silicon carbide (SiC) MOSFETs; thermal runaway;
机译:碳化硅功率MOSFET的短路强度综合研究
机译:SI功率MOSFET的选择方法,用于增强SIC电源MOSFET短路能力,基本(EMM)拓扑
机译:现实生活中1.2 kV碳化硅(SiC)功率晶体管的短路耐受能力的比较评估
机译:用于长期可靠性评估的碳化硅MOSFET模块的温度依赖性热模型
机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:碳化硅电源装置中的选择性掺杂
机译:不同的JFET设计有关3.3 kV平面栅极碳化硅MOSFET的导通和短路功能