公开/公告号CN112531650A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-19
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申请/专利权人 华羿微电子股份有限公司;
申请/专利号CN202011419731.1
发明设计人 钟任生;
申请日2020-12-07
分类号H02H7/20(20060101);H02H3/08(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人侯芳;郭永丽
地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
入库时间 2023-06-19 10:18:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H02H 7/20 专利申请号:2020114197311 申请公布日:20210319
发明专利申请公布后的驳回
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 集成短路保护的功率MOSFET
机译: 隔离式功率MOSFET输出级的短路保护器