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一种自带短路保护的功率MOSFET

摘要

本发明涉及功率MOSFET的技术领域,更具体的涉及一种自带短路保护的功率MOSFET,其包括主功率管,其为双源极功率MOSFET,所述双源极功率MOSFET包括第一源极和第二源极;短路保护电路,其通过所述第二源极、双源极功率MOSFET的栅极与所述双源极功率MOSFET连接;其中,所述第一源极为双源极功率MOSFET向外引出的源极。本发明在主功率管的源极和栅极连接短路保护电路,其采用的短路保护电路能快速切断主功率管的栅极的驱动电流,极大地提高了安全性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112531650A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华羿微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202011419731.1

  • 发明设计人 钟任生;

    申请日2020-12-07

  • 分类号H02H7/20(20060101);H02H3/08(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人侯芳;郭永丽

  • 地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

  • 入库时间 2023-06-19 10:18:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H02H 7/20 专利申请号:2020114197311 申请公布日:20210319

    发明专利申请公布后的驳回

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