具有阴极短路结构的双向功率MOSFET结构

摘要

本公开涉及具有阴极短路结构的双向功率MOSFET结构。一种场效应装置包括分隔开源极与漏极的半导体主体，源极和漏极都耦接到所述半导体主体。绝缘控制栅极位于在所述源极与所述漏极之间的所述半导体主体上，并且配置成控制延伸于所述源极与所述漏极之间的导电沟道。例如高掺杂区的第一掺杂区和第二掺杂区邻近于所述源极。所述第一掺杂区或所述第二掺杂区可以是电耦接到所述源极的阴极短路区域。所述阴极短路区域可用于双向功率MOSFET。