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杨洪强; 陈星弼;
电子科技大学微电子所;
成都610054;
动态控制阳极短路结构; 关断时间; 导通压降; 晶体管; 结构; IGBT;
机译:无控制阳极屏障和电阻的无循环短路阳极LIGBT
机译:双MOS栅极控制晶闸管(DMGCT)结构具有比IGBT更好的短路耐受能力
机译:具有低剂量P缓冲和透明P发射极的600V薄晶圆PT-IGBT的新阳极设计概念具有低剂量P缓冲和透明P发射极的600 V薄晶圆PT-IGBT的新概念
机译:功率IC中使用动态控制阳极短路的IGBT
机译:具有钙钛矿型结构的氧化物基材料和复合材料(例如PC阳极):具有基于高铁酸盐和硅酸盐的固体电解质的电池的功能特性和电化学行为
机译:具有结构缺陷作为锂离子电池高速率和长寿命阳极的Li4Ti5O12-TiO2纳米片的制备
机译:具有栅极电荷感应功能的IGBT超高速短路保护
机译:具有障碍的平面中的最短路径问题:同伦类中路径长度和最短路径的界限
机译:具有可切换阳极结构的横向IGBT器件
机译:IGBT短路保护电路和方法,IGBT驱动器和IGBT电路
机译:具有模块式IGBT的高速铁路具有变换器和逆变器功率栈的高速铁路推进装置
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