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机译:体FinFET中总剂量效应的几何依赖性
Centre for Device Thermography, Reliability at University of Bristol, Bristol BS8 1TL, UK;
Charge carrier processes; Degradation; FinFETs; Geometry; Leakage currents; Threshold voltage; Buried oxide; FinFET; charge trapping; geometry dependence; hole traps; isolation oxide; subthreshold slope degradation; threshold voltage shift; total ionizing dose; worst-case bias;
机译:散装FinFET中总剂量效应的偏置依赖性
机译:SOI FinFET中总电离剂量效应的偏差和几何依赖性
机译:几何形状,掺杂,温度和边界电导率对14纳米和SOI FinFET的热特性的影响
机译:FF设计在20-nm体平面和16-nm体FinFET技术中的软错误率与温度的关系
机译:体和SOI FinFET中的辐射引起的单事件瞬变(SET)效应以及与体CMOS的鲁棒性比较。
机译:表面改性和本体几何形状对交联聚乙烯生物摩擦学行为的影响:磨损测试和有限元分析
机译:20-nm体CmOs技术中统计变异的几何,温度和体偏差依赖性:综合模拟分析