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杨生胜; 秦晓刚; 牛小乐;
中国核学会;
中国电子学会;
中国工程物理研究院;
光纤通信器件; 总剂量效应; 辐照; 性能参数变化; 辐射效应;
机译:Pelletron促进剂在研究半导体器件高总剂量辐射效应中的应用
机译:温度对金属氧化物半导体器件总剂量效应预测中参数的影响
机译:钝化层可降低线性双极型器件的总剂量效应和ELDRS
机译:新的MOS晶体管模型在CMOS器件中的总剂量辐射效应中的应用
机译:光纤通信系统中的偏振效应=偏振效应C?
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量在10分数中具有42 Gy的更高毒性:II级剂量递增试验的结果
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:双极线性器件中的总剂量偏差依赖性和ELDRs效应
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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