机译:几何形状,掺杂,温度和边界电导率对14纳米和SOI FinFET的热特性的影响
East China Normal Univ Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc Dept Elect Engn Shanghai 200241 Peoples R China;
East China Normal Univ Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc Dept Elect Engn Shanghai 200241 Peoples R China;
East China Normal Univ Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc Dept Elect Engn Shanghai 200241 Peoples R China;
East China Normal Univ Shanghai Key Lab Multidimens Informat Proc Dept Elect Engn Shanghai 200241 Peoples R China;
Self-heating effects (SHE); electrothermal; FinFET; silicon on insulator (SOI); TCAD;
机译:统计可变性和可靠性以及对14nm节点SOI FinFET技术的相应6T-SRAM单元设计的影响
机译:14nm FinFET中的TID工艺,几何和偏置条件相关性分析以及对RF和SRAM性能的影响
机译:Si掺杂对高温下块状GaN导热系数的影响-理论与实验
机译:PTS掺杂和鳍角对14nm体FinFET的TID响应的影响
机译:使用光纤分布式温度感测来评估浅表层下的土壤温度,大块土壤热特性和土壤水分
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)