机译:统计可变性和可靠性以及对14nm节点SOI FinFET技术的相应6T-SRAM单元设计的影响
Device Modelling Group, Univ. of Glasgow, Glasgow, UK|c|;
SRAM; co-design; finFET; half select disturb; reliability; stability; static noise margin; variability;
机译:14纳米CMOS技术双栅极SOI FinFET中工艺引起的和统计可变性之间的相互作用
机译:NBTI相关的可变性对14纳米节点FinFET SRAM性能和静态功耗的影响:与时间零波动的相关性
机译:NBTI对用于逻辑应用的14 nm节点FinFET技术影响的仿真研究:器件降级到电路级交互
机译:14nm节点SOI FinFET的统计可变性及其对相应6T-SRAM单元设计的影响
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:利用SWAT建模蓖麻流域空间异质性对径流沉积物和磷流失的影响:I.土壤特性空间变异性的影响
机译:自加热对体积和sOI FinFET的统计变化的影响
机译:压力传感器测量表土 - 地基界面交通诱发应力的可靠性