机译:用于RF功率放大器设计的Si衬底上GaN HEMT的改进建模
Computer Engineering Department, Hodeidah University, Hodeidah, Yemen;
GaN HEMT; genetic optimization; parameter extraction; semiconductor device modeling; silicon;
机译:GaN HEMT的大信号建模方法,用于射频开关模式功率放大器设计
机译:用于高效RF功率放大器设计的可扩展GaN HEMT大信号模型
机译:适用于RF开关模式功率放大器设计的AlGaN / GaN HEMT的大信号模型
机译:关于RF开关模式功率放大器设计的Algan / GaN HEMT的大信号建模
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:增强GaN HEMT模型:功率放大器设计的网关
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。