机译:NBTI和大孔捕集导致的降解和回收中非常快至非常慢的成分的比较,与现有物理模型的比较
MOSFET; negative bias temperature instability (NBTI); recovery; relaxation;
机译:PNO p-MOSFET中NBTI应力产生的界面陷阱和空穴陷阱组件的隔离
机译:NBTI应力超薄栅极p-MOSFET的恢复:深层陷阱的作用
机译:宽偏置条件下NBTI应力诱导的空穴陷阱和界面状态生成机制的建模
机译:带有SiON栅介质的p-MOS晶体管NBTI降解中快慢成分的物理起源
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:NMDA受体中镁嵌段快速和慢速的电压依赖性动力学:不对称陷获模型
机译:PNO p-MOSFET中NBTI应力产生的界面陷阱和空穴陷阱组件的隔离