机译:介电加热器,底部接触和读取方案对纳米级低功耗相变存储(PCM)单元可靠性的影响:3-D-ADI建模
Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee, India;
3D – ADI; Copper Bottom Contact; GST; Ge2Sb2Te5 (GST); Nanoscale Non-volatile Memory; Nitride Heater; Phase Change Memory (PCM); Reset Current; Reset Time; Three-dimensional-alternating direction implicit (3-D-ADI); copper bottom contact; nanoscale nonvolatile memory; nitride heater; phase change memory (PCM); reset current; reset time;
机译:介电电阻加热器,底部接触和读取方案对纳米级低功率相变存储器(PCM)单元的可靠性的影响:3-D-ADI建模
机译:有限元建模模拟相变随机存取存储器中带有加热器和环形接触器以实现低功耗的电压SET操作
机译:有限元建模模拟相变随机存取存储器中带有加热器和环形接触器以实现低功耗的电压SET操作
机译:物理解释,建模与相变记忆(PCM)阻力漂移可靠性因硫属化物结构弛豫而变化
机译:质子交换膜燃料电池3D流道中的微观和宏观两相流建模
机译:室温下使用自底向上工艺的纳米级电阻式开关存储器的集成方案用于高密度存储应用
机译:相变存储器(PCM)的最近进度和电阻切换随机存取存储器(RRAM)