首页> 外文OA文献 >Recent Progress of Phase Change Memory (PCM) and Resistive Switching Random Access Memory (RRAM)

【2h】

Recent Progress of Phase Change Memory (PCM) and Resistive Switching Random Access Memory (RRAM)

机译：相变存储器（PCM）的最近进度和电阻切换随机存取存储器（RRAM）

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
H.-S. Philip Wong; SangBum Kim; Byoungil Lee; Marissa A. Caldwell; Jiale Liang; Yi Wu; Rakesh Jeyasingh; Shimeng Yu;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Resistive switching and electrical control of ferromagnetism in a Ag/HfO2/Nb:SrTiO3/Ag resistive random access memory (RRAM) device at room temperature [J] . Ren Shaoqing, Zhu Gengchang, Xie Jihao, Journal of Physics. Condensed Matter . 2016,第5期

机译：Ag / HfO2 / Nb：SrTiO3 / Ag电阻随机存取存储器（RRAM）器件在室温下的铁磁性电阻切换和电控制
2. Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials, Switching Mechanism, Performance, Multilevel Cell (mlc) Storage, Modeling, and Applications [J] . Furqan Zahoor, Tun Zainal Azni Zulkifli, Farooq Ahmad Khanday Nanoscale Research Letters . 2020,第1期

机译：电阻随机存取存储器（RRAM）：材料，切换机制，性能，多级电池（MLC）存储，建模和应用概述
3. Electrical conduction and bipolar switching properties in transparent vanadium oxide resistive random access memory (RRAM) devices [J] . Kai-Huang Chen, Chin-Hsiung Liao, Jen-Hwan Tsai, Applied Physics . 2013,第1期

机译：透明氧化钒电阻随机存取存储器（RRAM）器件中的导电和双极开关特性
4. Recent Progress of Phase Change Memory (PCM) and Resistive Switching Random Access Memory (RRAM) [C] . Wong H.-S. Philip, Kim SangBum, Lee Byoungil, 2011 3rd IEEE International Memory Workshop . 2011

机译：相变存储器（PCM）和电阻切换随机存取存储器（RRAM）的最新进展
5. Resistive Switching Random Access Memory (RRAM): Analysis, Modeling, and Characterization Toward Practical Applications [D] . Jiang, Zizhen. 2020

机译：电阻切换随机存取存储器（RRAM）：对实际应用的分析，建模和表征
6. Resistive Random Access Memory (RRAM): an Overview of Materials Switching Mechanism Performance Multilevel Cell (mlc) Storage Modeling and Applications [O] . Furqan Zahoor, Tun Zainal Azni Zulkifli, Farooq Ahmad Khanday 2020

机译：电阻性随机存取存储器（RRAM）：材料交换机制性能多层单元（mlc）存储建模和应用概述
7. Dynamic behavior of resistive random access memories (RRAMS) based on plastic semiconductor (RRAMS) based on plastic semiconductor [O] . Rocha, P. R. F., Kiazadeh, A., Chen, Q., 2014

机译：基于塑料半导体的电阻式随机存取存储器（RRAMS）的动态行为
8. Effect of Atomic Layer Depositions (ALD)-Deposited Titanium Oxide (TiO2) Thickness on the Performance of Zr40Cu35Al15Ni10 (ZCAN)/TiO2/Indium (In)-Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Structures. [R] . Chin, M. L., Amani, M., O'Regan, T. P., 2015

机译：原子层沉积（aLD） - 沉积二氧化钛（TiO2）厚度对Zr40Cu35al15Ni10（ZCaN）/ TiO2 /铟（In）基电阻随机存取存储器（RRam）结构性能的影响。

Recent Progress of Phase Change Memory (PCM) and Resistive Switching Random Access Memory (RRAM)

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅