机译:具有片上电流/电压基准的11b 70MHz 1.2mm2 49mW0.18μmCMOS ADC
CMOS digital integrated circuits; VHF circuits; analogue-digital conversion; capacitor switching; digital subscriber lines; integrated circuit design; network topology; radiofrequency integrated circuits; reference circuits; system-on-chip; 0.18 micron; 1.8 V; 49 mW;
机译:具有片内电流/电压基准的11b 70MHz 1.2mm {sup} 2 49mW0.18μmCMOS ADC
机译:具有基于片内RC滤波器的电压基准的8b 220 MS / s 0.25μmCMOS流水线ADC
机译:具有65nm CMOS的10位50 MS / s SAR ADC,带有片内基准电压缓冲器
机译:具有片内电流/电压基准的11b 70 MHz 1.2 mm〜2 49 mW 0.18 um CMOS ADC
机译:具有片上电路的低功耗cmos弛张振荡器设计,用于组合温度补偿的参考电压和电流生成。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:一个具有0.67 pJ /转换步长和片上基准电压发生器的1.2 V 10位60-MS / s 23 mW CMOS流水线ADC