机译:具有高温(130摄氏度)和超高速(17 GHz)性能的1.57μm应变层量子阱GaInAlAs脊波导激光二极管
机译:使用应变四元量子阱对1.53μmInGaAsP脊形波导激光器进行高温(130摄氏度)CW操作
机译:由ECR-IBAE制造的应变层InGaAs-AlGaAs量子阱脊波导二极管激光器的均匀线性阵列
机译:1.29 / spl mu / m GaInNAs具有改进性能的多个量子阱脊波导激光二极管
机译:低阈值(// Sup> / sub-// 92 A / cm2)1.6 / spl mu / m应变层单量子阱激光二极管,由0.8 / spl mu / m激光二极管光泵浦
机译:磷化铟和锑化镓镓激光二极管的温度性能。
机译:基于法布里-珀罗激光二极管和双阶段FBG光学多路分解器的分布式同时应变和温度传感器的性能
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合
机译:ECR-IBaE制备的应变层InGaas-alGaas量子阱脊波导二极管激光器的均匀线性阵列