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机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的近紫外InGaN-GaN LED的增强的输出功率
Department of Materials Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;
GaN; InGaN; light-emitting diode (LED); near ultraviolet (UV); patterned sapphire substrate (PSS);
机译:改善在条纹图案蓝宝石衬底上制造的近紫外InGaN-GaN LED的光输出效率
机译:增强湿法刻蚀蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的输出功率
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:条纹图案化蓝宝石衬底上制造的近紫外线Ingan-GaN LED的显着效率提高
机译:高功率氮化铟镓/氮化镓多量子阱蓝色LED的制造
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:凹面图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率