机译:增强湿法刻蚀蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的输出功率
Department of Photonic and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, R.O.C.;
GaN; light-emitting diode (LED); sapphire chemical wet etching;
机译:湿法刻蚀条纹蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的生长和特性
机译:湿法刻蚀条纹蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的生长和特性
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:基于GaN的LED在锥形图案化的蓝宝石基板上生长,具有外围空隙通过横向蚀刻
机译:高功率氮化铟镓/氮化镓多量子阱蓝色LED的制造
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:凹面图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率