机译:通过场板优化实现30W / mm GaN HEMT
Field plate; GaN; High-electron-mobility-transistors (HEMT); Microwave power;
机译:硅衬底上的紧凑型30 W AlGaN / GaN HEMT,在8 GHz时的输出功率密度为8.1 W / mm
机译:钝化层厚度和现场板优化,以获得短的AlGaN / GaN Hemts中的高击穿电压,具有短的栅极到排水距离
机译:优化AIGaN / GaN MIS-HEMT的低动态R_(DS-ON)色散源场板设计
机译:10个W / mm和高PAE镀普拉根螺纹/ GaN Hemts,KA波段,N + GaN源触点壁架
机译:用于LLC转换器的平行GaN HEMT的分析与优化
机译:基于PD-Algan / GaN HEMTS栅极偏压调制的二氧化氮气体传感器性能优化
机译:使用栅极板,源场板和排水场板仿真AlGaN / GaN Hemts'击穿电压增强