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机译:硅衬底上的紧凑型30 W AlGaN / GaN HEMT,在8 GHz时的输出功率密度为8.1 W / mm
Department of Electrical Engineering and Computer ScienceInteruniversity Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, Korea;
Aluminum gallium nitride; Gallium nitride; HEMTs; MODFETs; Power generation; Silicon; Substrates; AlGaN/GaN-on-Si; PAE; X-band; amplifier; power density;
机译:金刚石基板上的AlGaN / GaN HEMT,在10 GHz时的输出功率密度超过7W / mm
机译:在Si基板上使用AlGaN / GaN HEMT在18 GHz时的输出功率密度为5.1 / mm
机译:Si衬底上的AlGaN / GaN HEMT,在10 GHz时的输出功率密度为7 W / mm
机译:使用在X波段具有5W / mm功率密度的深紫外光刻技术在带有倾斜场板的硅基板上制造AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:蓝宝石衬底上F = 4GHz的AlGaN / GaN HEMT的高功率性能