机译:用于功率应用的SiC和Si衬底上常关p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的高温性能
机译:蓝宝石衬底上的Ku波段3.4 W / mm功率AlGaN / GaN HEMT
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机译:在F = 4GHz的蓝宝石衬底上的AlGaN / GaN Hemts的高功率性能
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:蓝宝石衬底上F = 4GHz的AlGaN / GaN HEMT的高功率性能
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型