【24h】

Microwave noise in AlGaN/GaN channels

机译:AlGaN / GaN通道中的微波噪声

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摘要

Recent investigation of microwave noise of nominally undoped AlGaN/GaN channels is reviewed. The noise is agitated in a two-dimensional electron gas by an electric field applied in the plane of electron confinement. The experimental results are compared with those of Monte Carlo simulation and with simple semi-empirical formulas. The importance of hot-phonon effects is emphasised.
机译:综述了标称未掺杂的AlGaN / GaN通道的微波噪声的最新研究。噪声在二维电子气中被施加在电子约束平面中的电场所搅动。将实验结果与Monte Carlo模拟的结果和简单的半经验公式进行了比较。强调了热声子效应的重要性。

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