法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-26
授权
授权
2019-01-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20180820
实质审查的生效
2019-01-04
公开
公开
机译: 具有InAlAs / InGaAlAs雪崩倍增层的低噪声雪崩光电二极管
机译: 具有改善的光催化活性的碳材料基光催化剂的制备方法,通过前一种方法制备的光催化剂和包含前一种碳材料基光催化剂的过滤器
机译: 具有AlGaN波导/覆层的氮化物基激光二极管