一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明的紫外探测器从下至上依次包括衬底、AlN层、Al_xGa_1‑xN层、石墨烯层、Al_yGa_1‑yN层、两个接触电极；AlN层为Al极性面，用于提供压应力，有利于位错抑制，提高外延层质量；石墨烯层用于提高载流子漂移速率，提高紫外探测器的响应水平和响应速度；优选的,Al_xGa_1‑xN层的厚度为500‑1000nm，Al_yGa_1‑yN层的厚度为10‑50nm，其中，0