机译:Algan / GaN / SiC HEMT晶体管肖特基屏障参数对微波发电机相位噪声的影响
机译:纳米异质结构中势垒层的厚度和栅漏电容对场效应AlGaN / GaN HEMT微波和噪声参数的影响
机译:宽头双层T形栅极在SiC上具有0.17μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的微波低噪声性能
机译:硅衬底上随温度变化的微波噪声参数和AlGaN / GaN HEMT的建模
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:物理参数对AL0.3GA0.7N / AL0.05GA0.95N / GAN复合通道HEMTS微波噪声特性的影响
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型