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微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展

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摘要

文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaN HEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向.

著录项

来源
《电子科技》|2006年第10期|1-4|共4页
作者
马香柏; 郝跃; 张进城;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类真空电子技术;
关键词
AlGaN/GaN; 微波; 功率;

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