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机译:氮氧化硅栅极电介质的一氧化二氮(N2O)处理
机译:通过低压化学气相沉积富硅氮化硅热氧化制备的氧氮化物栅介质
机译:电子束感应电流与With氮氧化硅栅介质的P型和N型金属氧化物半导体电容器漏泄行为的比较
机译:电子束感应电流观察金属氧化物半导体场效应晶体管器件device氮氧化硅栅电介质中的泄漏部位
机译:一氧化氮处理的氮氧化硅栅极电介质的界面粗糙度与介电可靠性之间的关系
机译:氧化硅和氮氧化物栅极电介质的生长和特性。
机译:使用溶液加工的聚合物栅极电介质自对准顶栅金属氧化物薄膜晶体管
机译:通过使用一氧化二氮作为单源前体的反应性高功率脉冲磁控溅射沉积的氮氧化硅膜
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能