机译:用于90nm处理的CVD low-k
机译:优化CVD介电工艺以实现可靠的超低k气隙
机译:堆叠式低k CVD氧化膜的选择性CMP工艺
机译:带有LPCVD沉积的SiN和PECVD沉积的SiCOH低k钝化的AlGaN / GaN HEMT
机译:用于90nm及以后节点的低k SOD / CVD混合介电体的铜互连工艺优化
机译:通过沉积方法和膜厚控制和设计PECVD碳掺杂低k二氧化硅薄膜的关键性能。
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)异质外延Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的合成:工艺条件对结构/形态和功能特性的影响
机译:等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积的超低k SiOC(H)膜的表征