机译:通过金属有机气相外延(MOVPE)生长的1.55μm梯度折射率分离禁闭掩埋异质结构(GRINSCH)多量子阱(MQW)激光器的初步可靠性研究
British Telecom Res. Labs., Ipswich, UK;
life testing; optical communication equipment; reliability; semiconductor epitaxial layers; semiconductor growth; semiconductor junction lasers; semiconductor quantum wells; vapour phase epitaxial growth; 1.55 micron; GRINSCH; GRINSCH MQW lasers; graded index; lifetest results; lifetests; low degradation rates; metalorganic vapour phase epitaxy; multiple quantum well; reliability studies; separate confinement buried heterostructure; separate confinement heterostructure;
机译:可靠的1.5μm掩埋异质结构,单独限制,多量子阱(BH-SC-MQW)激光器,完全通过金属有机气相外延(MOVPE)生长
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)完全生长的1.3μm GaInAsP / InP掩埋异质结构渐变折射率分离禁区多量子阱(BH-GRIN-SC-MQW)激光器
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的1.5μm的GaInAs / GaInAsP梯度折射率分离禁区异质结构多量子阱(GRIN-SCH-MQW)激光二极管
机译:完全通过MOVPE技术生长的高性能隐埋异质结构1.55 / splμ/ m波长AlGaInAs / InP多量子阱激光器
机译:金属有机气相外延在硅衬底上生长砷化铟镓磷化物/磷化铟1.3微米双异质结构激光器
机译:分子束外延生长的亚毫安级阈值电流伪态InGaAs / AlGaAs埋藏异质结构量子阱激光器
机译:有机金属气相外延生长的alInGaas / alGaas分离限制异质结构应变单量子阱二极管激光器