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Takan.S; 艾时英;
不详;
激光器; 谱线宽度; 异质结; DFB;
机译:金属有机气相外延生长连续梯度折射率分离禁区异质结构(GRIN-SCH)InGaAs-InP长波长应变层量子阱激光器及其表征
机译:金属有机气相外延生长的高性能分布式反馈量子级联激光器
机译:可靠的1.5μm掩埋异质结构,单独限制,多量子阱(BH-SC-MQW)激光器,完全通过金属有机气相外延(MOVPE)生长
机译:通过金属 - 有机气相外延生长的GaAs基材的金属 - 有机气相外延生长的晶格畸变降低和接近应变补偿的InGaAs / InGaASP多量子阱结构
机译:铝砷化镓-砷化镓-砷化镓-砷化铟量子点通过低压金属有机化学气相沉积与量子阱异质结构激光器耦合。
机译:用于发光二极管应用的GaN导线在Si(111)上的金属有机气相外延生长
机译:低压金属有机气相外延生长的应变In1-xGaxAsyP1-y / InP量子阱异质结构
机译:有机金属气相外延生长的alInGaas / alGaas分离限制异质结构应变单量子阱二极管激光器
机译:一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:金属有机化学气相沉积法,高质量N面GaN,InN和AlN及其合金的异质外延生长方法
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